محققان مؤسسه علوم پایه کره جنوبی به پیشرفت قابل‌توجهی در فناوری نیمه‌رسانا و نانومواد دست یافتند که می‌تواند منجر به توسعه دستگاه‌های الکترونیکی بسیار کوچک‌تر، قوی‌تر و کارآمدتر شود. این تیم تحقیقاتی فرایندی را برای ایجاد ترانزیستورهای زیرنانومتری (Sub-nanometer Transistor) ایجاد کردند که می‌تواند بر محدودیت‌های فرایند لیتوگرافی سنتی غلبه کند.
براساس گزارش TechSpot و مقاله منتشرشده در نیچر، با تکنیک جدید محققان می‌توان از نانومواد فلزی «یک‌بعدی» با عرض 0.4 نانومتر برای استفاده به عنوان الکترود دریچه یا گیت الکترود (Gate Electrode) روی بسترهای دوبعدی بهره برد.